[发明专利]形成半导体器件的对准键的方法有效
| 申请号： | 200610143187.6 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1941281A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 金明寿 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种不需要额外的掩模形成工艺过程而在半导体器件中形成具有覆盖层的对准键的方法。形成对准键的方法可以包括在半导体衬底的芯片区域中形成限定有源区的隔离层，和在划线道中形成相对于半导体衬底的表面具有台阶高度差的对准键。在衬底上形成用于形成元件的至少一个形成层，并将其图案化，以在芯片区域中的半导体衬底上形成元件形成图案，和在划线道中的半导体衬底上形成覆盖对准键的覆盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 对准 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的对准键的方法，包括：在半导体衬底的芯片区域中形成限定有源区的隔离层，并且在划线道中形成相对于所述半导体衬底的表面具有台阶高度差的对准键；在所述衬底上形成用于形成元件的至少一个形成层，或者在至少一个形成层上形成；和转换所述至少一个形成层以在所述芯片区域中的半导体衬底上形成元件形成图案，并在所述划线道中的半导体衬底上形成覆盖所述对准键的覆盖层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
