[发明专利]使用碳纳米管的场发射电极及其制造方法无效
| 申请号： | 200610142801.7 | 申请日： | 2006-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101051583A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 裵恩珠;闵约赛;朴玩濬 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用碳纳米管的场发射电极及制造其的方法。该场发射电极包括基板、形成在基板上的ZnO层、及形成在ZnO层上的碳纳米管。因此，场发射装置的驱动电压可通过向场发射装置应用包括形成在ZnO层上的单壁碳纳米管的电极而降低。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 纳米 发射 电极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用碳纳米管的场发射电极，包括：基板；形成在所述基板上的ZnO层；及形成在所述ZnO层上的碳纳米管。
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