[发明专利]使用碳纳米管的场发射电极及其制造方法

权利要求书

1.一种使用碳纳米管的场发射电极，包括：

基板；

形成在所述基板上的ZnO层；及

形成在所述ZnO层上的碳纳米管。

2.如权利要求1所述的场发射电极，其中所述碳纳米管为单壁碳纳米管。

3.如权利要求1所述的场发射电极，其中所述ZnO层包括选自由In、Al、Li、Tb、Ga、Co、B及Zr组成的组中的至少一种材料。

4.如权利要求3所述的发射电极，其中所述ZnO层具有1×10^-5～10Ωcm的电阻率。

5.如权利要求1所述的场发散电极，其中所述ZnO层具有10到10000的厚度。

6.如权利要求1所述的场发射电极，其中所述基板是玻璃基板或半导体基板。

7.一种制造使用碳纳米管的场发射电极的方法，包括：

在基板上形成ZnO层；

在所述ZnO层上形成催化剂；及

在所述ZnO层上形成碳纳米管。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述ZnO层的形成包括形成含有从由In、Al、Li、Tb、Ga、Co、B及Zr组成的组中选择的至少一种材料的所述ZnO层。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述ZnO层的形成包括形成具有1×10^-5～10Ωcm的电阻率的所述ZnO层。

10.如权利要求7所述的方法，其中所述ZnO层的形成包括使用选自由CVD方法、溅射方法、及原子层淀积方法组成的组中的一种方法形成所述ZnO层。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述ZnO层的形成包括在温度为100到500℃及压力为5托或更小的条件下使用二乙基锌和水作为原材料使用原子层淀积方法形成所述ZnO层。

12.如权利要求7所述的方法，其中所述催化剂的形成包括使用选自由电子束淀积方法、CVD方法、溅射方法、及水涂覆方法组成的组中的一种方法。

13.如权利要求7所述的方法，其中所述催化剂的形成包括在所述ZnO层上涂覆包括催化剂材料的水溶液。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述催化剂材料是选自由Ni、Fe、及Co组成的组中的至少一种。

15.如权利要求7所述的方法，其中所述碳纳米管的形成包括使用CVD方法形成所述碳纳米管。

16.如权利要求7所述的方法，其中形成所述碳纳米管包括形成单壁碳纳米管。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述单壁碳纳米管是使用水等离子体CVD方法形成。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述单壁碳纳米管在300到600℃的温度在1托或更小的压力下使用甲烷气体和水形成。

19.一种场发射装置，包括权利要求1所述的场发射电极。