[发明专利]包括纳米点的非易失性存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610142422.8 | 申请日： | 2006-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN1953230A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 朴祥珍;李明宰;车映官;徐顺爱;赵庆相;薛光洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L27/10;H01L27/115;G11C13/00;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包括纳米点的非易失性存储器件及其制造方法。该包括由电阻－变化材料形成的氧化物层的所述非易失性存储器件包括：下电极；形成在所述下电极上并包括过渡金属氧化物的氧化物层；形成在所述氧化物层中并使所述氧化物层内部的电流通路一致的纳米点；以及，形成在所述氧化物层上的上电极。在本发明中，氧化物层内部的电流通路一致，由此稳定了重置电流。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 纳米 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括纳米点的非易失性存储器件，所述非易失存储器件包括由电阻-变化材料形成的氧化物层，所述非易失性存储器件包括：下电极；形成在所述下电极上并包括过渡金属氧化物的氧化物层；形成在所述氧化物层中并使所述氧化物层内部的电流通路一致的纳米点；以及形成在所述氧化物层上的上电极。
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