[发明专利]复合半导体器件、打印头以及成像装置有效

专利信息
申请号: 200610142040.5 申请日: 2006-09-30
公开(公告)号: CN1941440A 公开(公告)日: 2007-04-04
发明(设计)人: 荻原光彦;藤原博之;武藤昌孝;铃木贵人;猪狩友希 申请(专利权)人: 冲数据株式会社
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L27/15;G03G15/043;G03G15/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王庆海;梁永
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体器件包括第一导电类型、第二导电类型、或不掺杂类型的发光层;第二导电类型的第一接触层,该第一接触层被布置在发光层上并且经由预定的接触对其提供电压;第二导电类型的第二接触层,该第二接触层被布置在发光层下方并且经由预定的接触对其提供电压;第一或第二导电类型的第一蚀刻停止层,该第一蚀刻停止层被布置在发光层下方和第二接触层上方;以及第一导电类型的第三接触层,该第三接触层被布置在第二接触层下方并且经由预定的接触对其提供电压。
搜索关键词: 复合 半导体器件 打印头 以及 成像 装置
【主权项】:
1.一种具有各半导体层的分层结构的半导体器件,所述半导体器件包括:发光层,该发光层是第一导电类型、第二导电类型、或不掺杂类型;第二导电类型的第一接触层,该第一接触层被布置在所述发光层上方,经由预定的接触对所述第一接触层提供电压;第二导电类型的第二接触层,该第二接触层被布置在所述发光层下方,经由预定的接触对所述第二接触层提供电压;第一或第二导电类型的第一蚀刻停止层,该第一蚀刻停止层被布置在所述发光层下方和所述第二接触层上方,所述第一蚀刻停止层允许对所述第二接触层进行选择性蚀刻;以及第一导电类型的第三接触层,该第三接触层被布置在所述第二接触层下方,经由预定的接触对所述第三接触层提供电压。
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