[发明专利]使用等离子体处理衬底的装置和方法,以及制造半导体器件的设备无效
| 申请号： | 200610141294.5 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1945793A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 韩硕铉;朴荣奎 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/20;C23F4/00;C23C16/00;C23C14/00;H05H1/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 使用多种不同类型等离子体源来处理衬底。等离子体源可与单个处理室相关。在这种情况下，选择性地操作等离子体源，来处理在处理室中的衬底。或者，等离子体源分别与集成的制造设备中的各个处理室相关联。根据本发明，等离子体源的操作参数，例如使用顺序，构成额外的可以调节的处理参数，最大化处理效率。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 等离子体 处理 衬底 装置 方法 以及 制造 半导体器件 设备 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置包括： 处理室； 半导体支撑，设置在处理室中并用于当在室中处理衬底时支撑衬 底； 气体供应系统，连接到处理室；以及 等离子体生成系统，包括多个等离子体生成器，每个等离子体生 成器独立可操作地使用由气体供应系统提供的处理气体产生等离子 体，等离子体生成器是不同的类型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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