[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200610138956.3 | 申请日： | 2006-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1937252A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 村松谕 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括抬高的源/漏结构，该制造方法可以抑制结漏电流的出现。该制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底(102)的表面上的预定位置上形成沟槽(105)；形成隔离层(106)，使其填充沟槽，并且使其从半导体衬底(102)的表面突出；形成膜(108)，使其覆盖半导体衬底(102)和隔离层(106)；有选择地除去该膜(108)，由此在半导体衬底(102)上露出的隔离层(106)的侧部(106a)上形成覆盖层(110)；在半导体衬底(102)上形成栅电极单元(123)；在半导体衬底(102)的表面上的覆盖层(110)和栅电极单元(123)之间的区域中形成外延层(124)；以及至少在一部分外延层(124)上形成硅化物层(130)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底的表面上的预定位置处形成沟槽，形成隔离层，使其填充所述沟槽，并且使其从所述半导体衬底的所述表面突出，形成覆盖所述半导体衬底和所述隔离层的膜，有选择地除去所述膜，由此在所述半导体衬底上露出的所述隔离层的侧部上形成覆盖层，在所述半导体衬底上形成栅电极单元，在所述半导体衬底的所述表面上的所述覆盖层和所述栅电极单元之间的区域中形成外延层，以及至少在一部分所述外延层上形成硅化物层。
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