[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610138192.8 | 申请日： | 2006-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1967876A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 郑在景;申铉秀;权世烈;牟然坤 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王琦;王珍仙 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)和一种制造该薄膜晶体管的方法，并且更具体地，提供了一种用于降低漏电流的TFT和一种制造这种TFT的方法。所述TFT包括：柔性衬底；防扩散层，其形成于所述柔性衬底上；缓冲层，其形成于所述防扩散层上；半导体层，其形成于所述缓冲层的区域上，包括沟道层以及源极和漏极区域；栅极绝缘层，其形成于包括所述半导体层的所述缓冲层上；栅极电极，其形成于所述栅极绝缘层上对应所述沟道层的区域中；夹层绝缘层，其形成于包括所述栅极电极的所述栅极绝缘层上；以及源极和漏极电极，其形成于所述夹层绝缘层中，包括预定的接触孔并且被连接到所述源极和漏极区域，所述接触孔暴露所述源极和漏极区域中的至少一个区域。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种包括薄膜晶体管的电子器件，所述器件包括：柔性衬底，其包括金属片；半导体层，其形成于所述柔性衬底的上方，所述半导体层包括源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域；栅极电极，其形成于所述半导体层的上方；栅极绝缘层，其介于所述栅极电极和所述半导体层之间；源极电极，其接触所述半导体层；漏极电极，其接触所述半导体层；缓冲层，其介于所述柔性衬底和所述半导体层之间；以及扩散阻挡层，其包含Ti或Ta，且介于所述柔性衬底和所述缓冲层之间。
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