[发明专利]隔离结构的制造方法无效

专利信息
申请号: 200610136606.3 申请日: 2006-10-31
公开(公告)号: CN101174576A 公开(公告)日: 2008-05-07
发明(设计)人: 曾维中;魏鸿基;朱建隆 申请(专利权)人: 力晶半导体股份有限公司
主分类号: H01L21/762 分类号: H01L21/762
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种隔离结构的制造方法,包括提供基底,基底上设置有介电层与导体层,导体层位于介电层上,且导体层、介电层与基底中设置有隔离层。移除部分隔离层,使隔离层的顶面低于导体层顶面但高于导体层底面。然后,于导体层侧壁形成间隙壁。之后以间隙壁为掩模,移除部分隔离层而形成隔离结构,隔离结构顶部具有凹陷,且隔离结构覆盖住导体层与介电层交界的转角处。接着于形成隔离结构之后,移除间隙壁。
搜索关键词: 隔离 结构 制造 方法
【主权项】:
1.一种隔离结构的制造方法,包括:提供基底,所述基底上设置有介电层与导体层,所述导体层位于所述介电层上,且所述导体层、介电层与基底中设置有多个隔离层;移除部分所述隔离层,使所述隔离层的顶面低于所述导体层顶面但高于所述导体层底面;于所述导体层侧壁形成间隙壁;以所述间隙壁为掩模,移除部分所述隔离层,形成隔离结构,所述隔离结构顶部具有凹陷,且所述隔离结构覆盖住所述导体层与所述介电层交界的转角处;以及移除所述间隙壁。
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