[发明专利]4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法

摘要

4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法，涉及一种光电探测器。提供一种在低击穿电压下具有高的内部增益，对可见光与红外光不敏感，可以直接对紫外光、微弱信号和单光子信号进行检测的4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法。光电探测器设有n⁺型4H－SiC衬底，在n⁺型4H－SiC衬底上从下到上依次生长n型外延吸收层、n型外延倍增层和p⁺外延层，器件表面设钝化膜，外延层上设p电极，p电极上设焊盘，衬底背面设n电极。制备时外延片标准清洗，制备所有台面，再制备氧化层，氧化层作为芯片的钝化层；光刻p电极区，腐蚀掉电极图形处的氧化层，溅射Ti/Al/Au作为p电极接触金属，衬底背面形成n型欧姆接触。

主权项

1.4H-SiC雪崩光电探测器，其特征在于设有n+型4H-SiC衬底，在n+型4H-SiC衬底上从下到上依次生长n型外延吸收层、n型外延倍增层和P+外延层，n型外延吸收层可以为非故意掺杂的本征层或者掺杂浓度范围在1×1015/cm3～1×1016/cm3的轻掺杂层，其厚度为0.5～2μm；n型外延倍增层的掺杂浓度范围在1×1016/cm3～1×1018/cm3，其厚度为0.05～0.5μm；p+ 外延层其掺杂浓度至少为1×1018/cm3，其厚度为0.1～0.5μm，器件的表面通过热氧化生成一层氧化硅的钝化膜，在p+外延层上设有p型电极，在p型电极上磁控溅射Ti/Au作为焊盘接触金属，在衬底的背面设有n型电极。