[发明专利]减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法

摘要

减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法，涉及一种碳化硅表面刻蚀，尤其是涉及一种采用感应耦合等离子体技术实现碳化硅材料刻蚀过程中一种减少ICP刻蚀SiC表面损伤的新方法。提供一种新的减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法。其步骤为在SiC表面上涂敷光刻胶，经曝光、显影、腐蚀形成光刻掩膜层；在保留有光刻胶图形的SiC样品表面溅射沉积金属膜层，去除光刻胶掩膜层及其上的金属层，保留与SiC表面紧密接触的金属图形；将保留金属图形的SiC材料置于感应耦合等离子体刻蚀系统中进行第一次ICP刻蚀，实现SiC材料的图形化；再取出SiC材料，氮气吹洗，将SiC材料置于ICP刻蚀系统中，进行第二次ICP刻蚀。

主权项

1.减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法，其特征在于其步骤如下：1)在清洗过的SiC表面上涂敷一层光刻胶，光刻胶厚度为刻蚀深度的1～2倍，经曝光、显影、腐蚀工艺后形成一层光刻掩膜层；2)在保留有光刻胶图形的SiC样品表面上溅射沉积一层不连续的金属膜层，作为刻蚀过程中掩膜材料；3)去除光刻胶掩膜层及其上的金属层，保留与SiC表面紧密接触的金属图形；4)将保留金属图形的SiC材料置于感应耦合等离子体刻蚀系统中进行第一次常规工艺的ICP刻蚀，实现SiC材料的图形化；5)第一次ICP刻蚀工艺结束后，取出SiC材料，采用氮气吹洗，再次将SiC材料置于ICP刻蚀系统中，增大通入反应腔的O2流量，进行第二次ICP刻蚀。