[发明专利]光电转换装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610130562.3 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101017855A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 刘津平 | 申请（专利权）人： | 刘津平 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300222天*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光电转换装置及其简单、低成本的制造方法，该装置具有结构简单，光的转换效率高、稳定性好，无污染等优点；制造方法工艺简便，按照本发明，可以避免采用十分昂贵的真空环境下的加工制造手段，高效率、低成本地工业化生产一种高光电转换装置。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光电转换装置，该装置包括衬底、金属背电极层、过渡层、光吸收层、缓冲层1(n型层)、缓冲层2、透明导电层、集电栅和/或减反射膜层，其特征在于：所述的光吸收层中的铜(Cu)铟(In)镓(Ga)硒(Se2)或硫化物(S2)的原子百分配比为CuIn1-xGax(Se2或S2)，其中0.1＜x＜0.34；金属背电极层、过渡层和/或光吸收层中混有重量百分比为0-20％的钠和/或钙元素或含钠和/或钙元素的化合物，或进而在金属背电极层与光吸收层之间包含一层重量百分比小于20％的碱金属薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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