[发明专利]复合式化学机械研磨法与浅沟槽隔离结构的制造方法无效
| 申请号： | 200610128009.6 | 申请日： | 2006-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101134286A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 陈彦竹;朱辛堃;蔡腾群;陈佳禧 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B29/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种复合式化学机械研磨法，先提供一研磨液，以一第一研磨速度，进行一主研磨步骤。然后，再进行一辅助研磨步骤。其中，辅助研磨步骤是先在一第一时间内，提供研磨液，接着再于一第二时间内，加入一溶剂，并以一第二研磨速度进行研磨，而第二研磨速度小于第一研磨速度。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 化学 机械 研磨 沟槽 隔离 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种复合式化学机械研磨法，适于使结构平坦化，包括：提供研磨液，以第一研磨速度，进行主研磨步骤；以及进行辅助研磨步骤，以使该结构平坦化，其中该辅助研磨步骤包括：首先在第一时间内，提供该研磨液；以及再于第二时间内，加入溶剂，并以第二研磨速度进行研磨，其中该第二研磨速度小于该第一研磨速度。
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