[发明专利]复合式化学机械研磨法与浅沟槽隔离结构的制造方法

权利要求书

1.一种复合式化学机械研磨法，适于使结构平坦化，包括：

提供研磨液，以第一研磨速度，进行主研磨步骤；以及

进行辅助研磨步骤，以使该结构平坦化，其中该辅助研磨步骤包括：

首先在第一时间内，提供该研磨液；以及

再于第二时间内，加入溶剂，并以第二研磨速度进行研磨，

其中该第二研磨速度小于该第一研磨速度。

2.如权利要求1所述的复合式化学机械研磨法，其中该溶剂包括去离子水。

3.如权利要求1所述的复合式化学机械研磨法，其中该第一时间为0至20秒之间。

4.如权利要求1所述的复合式化学机械研磨法，其中该第二时间为2至20秒之间。

5.如权利要求1所述的复合式化学机械研磨法，其中该研磨液包括高选择比研磨液。

6.如权利要求1所述的复合式化学机械研磨法，其中该研磨液包括含氧化铈的溶液。

7.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：

提供基底，该基底上已形成有图案化的掩模层，以及于该基底中已形成有至少一沟槽，且该掩模层暴露出该沟槽；

于该基底上方形成介电层填入该沟槽中；

进行主研磨步骤，移除部分该介电层；

进行辅助研磨步骤，移除部分该介电层与部分该掩模层，其中该辅助研磨步骤，包括：

首先在第一时间内，提供研磨液；以及

再于第二时间内，加入溶剂，并以研磨速度进行研磨，且该研磨速度小于该主研磨步骤的研磨速度；以及

移除该掩模层。

8.如权利要求7所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其中该溶剂包括去离子水。

9.如权利要求7所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其中该第一时间为0至20秒之间。

10.如权利要求7所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其中该第二时间为2至20秒之间。

11.如权利要求7所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其中该研磨液包括高选择比研磨液。

12.如权利要求7所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其中该研磨液包括含氧化铈的溶液。