[发明专利]在半导体器件中形成微图案的方法

摘要

公开了一种在半导体器件中形成微图案的方法。将氧化物膜掩模分成单元氧化物膜掩模和周边氧化物膜掩模。因此，可有利于单元区域和周边区域之间的连接。移除位于将形成字线的区域和将形成选择源线的区域之间的第一氧化物膜图案的部分上表面。因此，可以增加间隔并且可以防止在将形成字线的区域中的程序干扰。此外，利用具有100nm的线和200nm的间隔的图案，可以形成超过ArF曝光设备极限的具有50nm的线和100nm的间隔的图案或具有100nm的线和50nm的间隔的图案，因此所述图案具有良好的加工裕度和良好的临界尺寸规整性。

主权项

1.一种形成半导体器件的微图案的方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上依次形成第一氧化物膜、下层抗反射膜和第一光刻胶膜图案，然后利用第一光刻胶膜图案作为掩模来蚀刻下层抗反射膜和第一氧化物膜；剥除第一光刻胶膜图案和下层抗反射膜，然后在整个结构上沉积氮化物膜；毯覆式蚀刻氮化物膜以在第一氧化物膜的侧壁上形成间隔物；在整个结构上沉积第二氧化物膜，然后抛光第二氧化物膜；和在整个结构上形成第二光刻胶膜图案，然后利用第二光刻胶膜图案作为掩模来剥除氮化物膜，由此形成氧化物膜图案。