[发明专利]电介质膜及其制造方法有效
| 申请号： | 200610126440.7 | 申请日： | 2006-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1925115A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 宫本雪;齐田仁 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种电介质膜的制造方法，其包括通过加热形成在金属层上的前体层、形成电介质膜的烧制工序，金属层含有选自Cu、Ni、Al、不锈钢和镍铬铁耐热耐蚀合金中的至少一种的金属，在烧制工序的至少一部分中，在减压氛围下，加热前体层。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电介质膜的制造方法，其特征在于：包括通过加热形成在金属层上的前体层，形成电介质膜的烧制工序，所述金属层含有选自Cu、Ni、Al、不锈钢和镍铬铁耐热耐蚀合金中的至少一种的金属，在所述烧制工序的至少一部分中，在减压氛围下，加热前体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
