[发明专利]硅晶片表面缺陷的评价方法有效
| 申请号： | 200610121917.2 | 申请日： | 2006-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1932496A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 伊藤亘;长谷川健;盐多孝明 | 申请（专利权）人： | 株式会社上睦可 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;G01N1/28;G01N21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘锴;段晓玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了能够很容易检测具有小的晶体缺陷的区域的硅晶片表面缺陷评价方法。本发明的硅晶片表面缺陷评价方法的特征在于：快速热处理步骤，即，在可以使硅氮化的气氛中，以10－150℃/秒的升温速度从室温上升到不低于1170℃但低于硅熔点的温度对从硅单晶锭上切下的硅晶片进行热处理，将硅晶片在该处理温度保持1－120秒，然后将硅晶片以10－100℃/秒的降温速度冷却到室温；和采用表面光电压方法计算晶片表面上少数载流子扩散长度的步骤，以检测出晶片表面上的具有至少不能通过颗粒计数器检测出的小COP的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 表面 缺陷 评价 方法 | ||
【主权项】：
1、硅晶片表面缺陷评价方法，包括：快速热处理步骤，即，在可以使硅氮化的气氛中，以10-150℃/秒的升温速度从室温上升到不低于1170℃但低于硅熔点的温度对从硅单晶锭上切下的硅晶片进行热处理，将硅晶片在该处理温度保持1-120秒，然后将硅晶片以10-100℃/秒的降温速度冷却到室温；和，采用表面光电压方法计算晶片表面上少数载流子扩散长度的步骤，以检测出晶片表面上的具有至少不能通过颗粒计数器检测出的小COP的区域。
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