[发明专利]超大规模集成电路逻辑器件中斜肩式侧墙的刻蚀方法有效
| 申请号： | 200610119563.8 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101202229A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 王函;吕煜坤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超大规模集成电路逻辑器件中斜肩式侧墙的刻蚀方法，采用等离子体干法刻蚀法除去大多数的氧化硅和氮化硅介质膜，形成侧墙，包括如下步骤：步骤A，顶层氮化硅的主刻蚀：通过调整电极的功率、腔体的压力和反应气体的流量比例，使得各向同性刻蚀的趋势增加，从而获得侧墙的倾斜的顶端肩部形貌；步骤B，氮化硅的过刻蚀：通过调节一氟甲烷和氧气的比例，获得氮化硅对氧化硅的高选择比为16∶1－22∶1。本发明通过提高侧墙顶端肩部的倾斜度，解决因为多晶硅栅的间距的尺寸不断缩小而使后续PMD淀积产生空洞的问题，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 超大规模集成电路 逻辑 器件 中斜肩式侧墙 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超大规模集成电路逻辑器件中斜肩式侧墙的刻蚀方法，采用等离子体干法刻蚀法除去大多数的氧化硅和氮化硅介质膜，形成侧墙，其特征在于，包括如下步骤：步骤A，顶层氮化硅的主刻蚀：通过调整电极的功率、腔体的压力和反应气体的流量比例，使得各向同性刻蚀的趋势增加，从而获得侧墙的倾斜的顶端肩部形貌；步骤B，氮化硅的过刻蚀：通过调节一氟甲烷和氧气的比例，获得氮化硅对氧化硅的高选择比为16∶1-22∶1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
