[发明专利]金属前介质层形成方法及其结构有效
| 申请号： | 200610119164.1 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101197272A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 郑春生;蔡明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/00;H01L23/532;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金属前介质层形成方法，包括：在半导体衬底上形成金属前介质层沉积基底；在所述沉积基底上利用第一CVD方法沉积第一金属前介质层；在所述第一金属前介质层上利用第二CVD方法沉积第二金属前介质层。可形成无沉积孔洞产生且通过改变器件内应力状态以改善器件性能的金属前介质层，利用HARP SACVD工艺沉积第一介质层，以降低后续制程的线缝深宽比，继而应用HDPCVD、SACVD或PECVD等传统工艺沉积第二介质层，以完成介质层的沉积，可保证后续工艺与现有工艺相同，使得可将为实现工艺优化而对现有工艺进行的改变降至最低，降低研发成本。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 介质 形成 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1.一种金属前介质层形成方法，包括：在半导体衬底上形成金属前介质层沉积基底；在所述沉积基底上利用第一CVD方法沉积第一金属前介质层；在所述第一金属前介质层上利用第二CVD方法沉积第二金属前介质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610119164.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示装置
- 下一篇：光固化有机材料及用其制造液晶显示器件阵列基板的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
