[发明专利]硅基液晶显示器单元及其形成方法有效
申请号: | 200610119155.2 | 申请日: | 2006-12-05 |
公开(公告)号: | CN101196656A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
发明(设计)人: | 黄河;蒲贤勇;毛剑宏;陈轶群;傅静;洪中山;向阳辉 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/06;H01L21/822;H01L21/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种硅基液晶显示器单元,通过把位于像素开关电路层上的光屏蔽层接地,形成了由微反射微反射镜层-绝缘层-光屏蔽层所构成的金属-绝缘层-金属(MIM)第二电容器,所述第二电容器和像素开关电路层的第一电容器相并联共同作为像素开关电路层的电容,本发明还提供了一种硅基液晶显示器单元的形成方法。本发明充分利用了整个像素的面积,增大了电容,降低了硅基液晶显示器单元的刷新频率。同时,本发明也增大了开关电路的设计面积,可以根据不同需求设计高性能开关电路,增大了开关电路的设计灵活性。本发明还简化了制作电容的工序,从而降低了总的芯片制造成本。 | ||
搜索关键词: | 液晶显示器 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种硅基液晶显示器单元,包括带有像素开关电路层的硅基片,所述像素开关电路层包括一个金属-氧化物-半导体场效应管和与金属-氧化物-半导体场效应管的源端串联的第一电容器;位于像素开关电路层上的光屏蔽层;位于光屏蔽层上的绝缘层;位于绝缘层上的微反射镜层,所述微反射镜层、绝缘层和光屏蔽层构成第二电容器,所述微反射镜层与金属-氧化物-半导体场效应管的源端相电连接,其特征在于:所述光屏蔽层接地。
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