[发明专利]硅基芴的单体材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200610118976.4 | 申请日： | 2006-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1962667A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 徐良衡;徐礼玲;姚红兵;沈杨;高芸 | 申请（专利权）人： | 上海复旦天臣新技术有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/08 | 分类号： | C07F7/08;C09K11/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 罗大忱 |
| 地址： | 200433上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基芴的单体材料及其制备方法，本发明提供的硅基芴的单体材料，具有较好的载流体注入及传输能力，较高的发光性能，及良好的成膜性能、良好的热稳定性。可以广泛用于光电装置，例如电致发光器件、光伏打电池、场致晶体管、发光二极管以及光电化学电池等领域。其结构通式如(1)或(2)所示。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基芴 单体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基芴的单体材料，其结构通式如(1)或(2)所示：![]()
其中：R为含有4-20个碳的烷基；R2＝H或含1-20个碳的烷基或含1-20个碳的烷氧基，R1为含有1-20个碳的烷基。
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