[发明专利]将光刻机中的硅片在线调节到最佳曝光位置的方法有效
| 申请号： | 200610116556.2 | 申请日： | 2006-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101154050A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 王雷;伍强 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种将光刻机中的硅片在线调节到最佳曝光位置的方法，包括以下步骤：通过一透镜成像系统，将在汇聚到硅片平面上的掩膜板图形的像，成像到一焦平面空间像探测器阵列上并予以记录；调节硅片平台，根据像对比度的变化，计算出曝光区域上的每一点的最佳水平位置和最佳焦距位置；通过反馈调整硅片平台，使其达到最佳曝光位置。本发明可提高光刻机控制精度的可靠性，使光刻机能够满足更高要求的精度控制。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 中的 硅片 在线 调节 最佳 曝光 位置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种将光刻机中的硅片在线调节到最佳曝光位置的方法，其特征在于，包括下列步骤：(1)通过一透镜成像系统，将在汇聚到硅片平面上的掩膜板图形的像，成像到一焦平面空间像探测器阵列上并予以记录；(2)步进调节硅片平台，根据像对比度的变化，计算出曝光区域上的每一点的最佳水平位置和最佳焦距位置；(3)判断当前的水平位置是否为最佳水平位置，若是则执行步骤(5)，否则执行步骤(4)；(4)将测量结果反馈给硅片平台，并通过调整硅片平台的位置来对硅片平台的水平位置进行调整，然后回到步骤(3)；(5)判断当前的焦距是否为最佳对焦位置，若是则开始进行曝光，否则执行步骤(6)；(6)将测量结果反馈给硅片平台，并通过调整硅片平台在垂直方向上的扫描来对硅片平台的焦距进行调整，然后回到步骤(5)。
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