[发明专利]将光刻机中的硅片在线调节到最佳曝光位置的方法

权利要求书

1.一种将光刻机中的硅片在线调节到最佳曝光位置的方法，其特征在于，包括下列步骤：

(1)通过一透镜成像系统，将在汇聚到硅片平面上的掩膜板图形的像，成像到一焦平面空间像探测器阵列上并予以记录；

(2)步进调节硅片平台，根据像对比度的变化，计算出曝光区域上的每一点的最佳水平位置和最佳焦距位置；

(3)判断当前的水平位置是否为最佳水平位置，若是则执行步骤(5)，否则执行步骤(4)；

(4)将测量结果反馈给硅片平台，并通过调整硅片平台的位置来对硅片平台的水平位置进行调整，然后回到步骤(3)；

(5)判断当前的焦距是否为最佳对焦位置，若是则开始进行曝光，否则执行步骤(6)；

(6)将测量结果反馈给硅片平台，并通过调整硅片平台在垂直方向上的扫描来对硅片平台的焦距进行调整，然后回到步骤(5)。

2.根据权利要求1所述的将光刻机中的硅片在线调节到最佳曝光位置的方法，其特征在于，所述透镜成像系统至少包括：主透镜组、傅立叶平面附近的45度角度分束板组、45度角度反光镜组、投影透镜、焦平面空间像探测器阵列、电子控制光快门组。

3.根据权利要求1或2所述的将光刻机中的硅片在线调节到最佳曝光位置的方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，是通过所述透镜成像系统中45度角度分束板组中的下分束板，将在汇聚到硅片平面上的掩膜板图形的像成像到一焦平面空间像探测器阵列上的。

4.根据权利要求1所述的将光刻机中的硅片在线调节到最佳曝光位置的方法，其特征在于，测量时所述透镜成像系统的透镜组的数值孔径可任意选择，即可选取硅片曝光时所需要的实际的数值孔径，或选用其他数值孔径。

5.根据权利要求1所述的将光刻机中的硅片在线调节到最佳曝光位置的方法，其特征在于，在执行所述步骤(2)时，通过对曝光区域上的点的像对比度进行抽样测量，一次性确定硅片的整体水平最佳位置。

6.根据权利要求1所述的将光刻机中的硅片在线调节到最佳曝光位置的方法，其特征在于，在执行所述步骤(2)时，通过对曝光区域上的点的像对比度进行抽样测量，一次性确定硅片的整体焦距最佳位置。

7.根据权利要求5或6所述的将光刻机中的硅片在线调节到最佳曝光位置的方法，其特征在于，进行所述抽样测量时至少测量三个测量点，而对应的焦平面上的探测器的数量为至少3个。

8.根据权利要求7所述的将光刻机中的硅片在线调节到最佳曝光位置的方法，其特征在于，所述测量点和对应的焦平面上的探测器的分布为均匀分布或随机分布。

9.根据权利要求1所述的将光刻机中的硅片在线调节到最佳曝光位置的方法，其特征在于，所述光刻机为扫描式光刻机或非扫描式光刻机。

10.根据权利要求书1所述的将光刻机中的硅片在线调节到最佳曝光位置的方法，其特征在于，所述光刻机的探测光源可为曝光用的I线、G线、248nm、193nm、157nm，或者其他紫外波段波长的激光或宽谱波源，或是可见光波段的探测光源。