[发明专利]一种减小钝化晶片表面漏电电流的方法及其反应装置有效
| 申请号： | 200610116168.4 | 申请日： | 2006-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101150063A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 王津洲;章国伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种减小由碳或硅的悬空键引起的表面漏电电流的方法及其反应装置。现有的表面漏电清除方法存在处理后的钝化晶片表面粗糙不平、表层去除厚度大及能量消耗大等问题。本发明的减小钝化晶片表面漏电电流的方法，是将钝化晶片置于充有包含氧气、氮气和氢气的混和气体的反应装置中进行表面漏电清除。于本发明一实施例中，所述的混和气体中氧气的含量占50％－98％，氮气的含量占1％－49％，氢气的含量占0.06％－10％。利用本发明的方法和反应装置，可有效减少钝化晶片表面碳或硅的悬空键，从而减小表面漏电电流，而且该方法和装置还具有反应能量低，晶片表面去除厚度小等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 钝化 晶片 表面 漏电 电流 方法 及其 反应 装置 | ||
【主权项】：
1.一种减小钝化晶片表面漏电电流的方法，其特征在于：所述方法是将钝化晶片置于充有包含氧气、氮气和氢气的混和气体的反应装置中进行表面漏电清除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
