[发明专利]平面超薄绝缘体上半导体沟道MOSFET及其制造方法有效
| 申请号： | 200610115911.4 | 申请日： | 2006-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN1941412A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 程慷果;D·奇丹巴尔拉奥;B·J·格林;J·A·曼德尔曼;K·里姆 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种MOSFET结构包括平面半导体衬底，栅极介质和栅极。超薄(UT)绝缘体上半导体沟道延伸到衬底的上表面下的第一深度并且与栅极自对准以及横向共同延伸。源极漏极区域在上表面下延伸到比第一深度更深的第二深度，并且与UT沟道区域自对准。第一BOX区域延伸穿过整个结构，并且在上表面下从第二深度垂直延伸到第三深度。在UT沟道区域下面的第二BOX区域的上部与栅极自对准并且横向共同延伸，并且在上表面下从第一深度垂直延伸到第三深度，并且第三深度大于第二深度。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 超薄 绝缘体 上半 导体 沟道 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET结构，包括：半导体衬底，具有在所述衬底的上表面上形成的栅极介质层和栅极导体的叠层；绝缘体上半导体沟道区域，延伸到所述上表面下的第一深度，所述沟道区域与所述栅极导体自对准并且横向共同延伸；以及源极漏极区域，与所述沟道区域并置，在所述绝缘体上半导体衬底中形成；所述源极漏极区域延伸到所述上表面下的第二深度；以及其中所述第二深度大于所述第一深度。
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