[发明专利]一种从深紫外至远红外光的探测器及制备方法

摘要

本发明提供了一种从深紫外至远红外光的探测器及制备方法，该探测器包括：一基底、第一电极、第二电极和电极引线；其特征在于，所述的基底为n型SiC片，还包括在SiC的基底上生长一层p型的La_1－xSr_xMnO₃光响应材料层，其中光响应材料层厚度为0.8nm－2μm；所述的La_1－xSr_xMnO₃光响应材料层，其中x为0.01－0.5；第一电极设置在La_1－xSr_xMnO₃氧化物薄膜的光响应材料层上，第二电极设置在SiC的基底上，第一电极引线和第二电极引线分别连接在第一电极和第二电极上。该制备方法包括采用常规的制膜设备和工艺，首先制出La_1－xSr_xMnO₃/SiC异质结材料，然后再制作光探测器。当光照射探测器后直接产生电压信号，不需要任何辅助的电源和电子电路。其响应波段从紫外到远红外，光生电压信号可达数百mV。

主权项

1.一种从深紫外至远红外光的探测器，包括：一基底、第一电极、第二电极和电极引线；其特征在于，所述的基底为n型SiC片，还包括再在SiC的基底上生长一层p型的La1-xSrxMnO3氧化物薄膜的光响应材料层，薄膜厚度为0.8nm-2μm；所述的La1-xSrxMnO3光响应材料层，其中x为0.01-0.5；第一电极设置在La1-xSrxMnO3氧化物薄膜的光响应材料层上，第二电极设置在SiC的基底上，第一电极引线和第二电极引线连接在电极上。