[发明专利]一种用于制备铜铟硒纳米薄膜材料的旋涂法无效
| 申请号： | 200610107970.7 | 申请日： | 2006-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101114679A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 吴科俊;郭国聪;邹建平;邹文强;黄锦顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/208;C03C17/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福建省福州市杨桥*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种用于制备铜铟硒纳米薄膜材料的旋涂法，涉及一种制备铜铟硒纳米薄膜材料的工艺流程。本方法选择N，N－二甲基甲酰胺(DMF)为分散溶剂，优选参数为：旋浮液浓度0.6mmol/L；低/高阶段旋涂转速与时间分别是500rpm/9s，5000rpm/30s；退火温度与时间为100度2小时。旋涂法不需要高温高真空，对仪器要求低，薄膜的生产成本低，有利于实现大规模的应用化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 铜铟硒 纳米 薄膜 材料 旋涂法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备铜铟硒纳米薄膜材料的旋涂法，其特征在于：本方法选择N，N-二甲基甲酰胺(DMF)为分散溶剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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