[发明专利]多晶硅薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅薄膜晶体管的制造方法。此方法是先在基底上依序形成图案化栅极导体层、介电层以及非晶硅层。之后，在非晶硅层上形成一层具有裸露出预定形成源极/漏极掺杂区的开口的热滞留层。然后，通过激光退火(Laser annealing)工艺提供能量给非晶硅层，以形成多晶硅层，其中在开口之间的热滞留层下方的非晶硅层会先熔化再诱发横向生长形成多晶硅。进行离子注入工艺，以在开口所裸露的多晶硅层中形成源极掺杂区与漏极掺杂区。在基底上方形成源极与漏极，以分别与源极掺杂区及漏极掺杂区电连接。

主权项

1.一种多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括：在基底上形成图案化栅极导体层；在所述基底上以及所述图案化栅极导体层上形成介电层；在所述介电层上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成图案化热滞留层，所述图案化热滞留层具有多个开口，裸露出所述图案化栅极导体层两侧上方的部分所述非晶硅层；提供能量至所述非晶硅层，以形成多晶硅层，其中所述开口之间的所述图案化热滞留层下方的所述非晶硅层在接受所述能量后先熔化再横向生长形成多晶硅；进行离子注入工艺，以在所述开口所裸露的所述多晶硅层中形成源极掺杂区与漏极掺杂区；以及在所述基底上方形成源极与漏极，以分别与所述源极掺杂区及所述漏极掺杂区电连接。