[发明专利]非易失性存储器件及相关制造方法无效
| 申请号： | 200610107584.8 | 申请日： | 2006-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1905214A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 吴东妍;崔定爀;宋在爀;林种光;安宰永;黄棋铉;金振均;金泓奭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/105;H01L21/336;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器件，包括横跨半导体衬底的有源区形成的浮置栅，以及在浮置栅上形成的控制栅电极。在浮置栅和有源区之间形成绝缘图形，使得绝缘图形接触浮置栅的底边缘和侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：器件隔离层，在半导体衬底上限定有源区；隧道绝缘层，设置在有源区上；绝缘图形，设置在有源区的边缘上；浮置栅，设置在隧道绝缘层和绝缘图形上；控制栅电极，设置在浮置栅上，横跨有源区和器件隔离层；以及栅间介质，插入在浮置栅和控制栅电极之间；其中绝缘图形接触浮置栅的底边缘和侧壁。
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