[发明专利]具有双栅极双向HEMT的高效涌流限制电路无效
| 申请号： | 200610106076.8 | 申请日： | 2006-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1909319A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | M·萨拉托;M·索尔达诺 | 申请（专利权）人： | 国际整流器公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H02M7/162 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明的一个实施例的升压变换器，包括适于整流输入交流电压的输入整流桥，与输入整流桥连接的第一感应器，连接到第一感应器用于连接直流母线的输出电容器，连接在输出电容器和第一感应器之间的第一双向半导体开关，设置于第一感应器附近并且具有连接到公共接地的第一端的第二感应器，以及设置在第二感应器和输出电容器之间的第二双向半导体开关。涌流控制装置可以用于控制第一和第二双向半导体开关以防止电流涌入。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 双向 hemt 高效 涌流 限制 电路 | ||
【主权项】：
1、一种升压变换器，包括：适于整流输入交流电压的输入整流桥；与输入整流桥相连的第一感应器；连接到第一感应器用于连接直流母线的输出电容器；连接在输出电容器和第一感应器之间的第一双向半导体开关；电磁耦合到第一感应器并且具有连接到公共接地的第一端的第二感应器；设置在第二感应器和输出电容器之间的第二双向半导体开关。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际整流器公司，未经国际整流器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610106076.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
