[发明专利]具有改善刷新机制的动态半导体存储器

摘要

本发明提供在动态半导体存储器中实施允许读取/写入与刷新操作同时发生的刷新机制的各个实施例。在一个实施例中，本发明提供一种同步多存储库(multi－bank)动态存储器电路，其采用一旗标来指示一刷新操作模式，其中刷新操作可与读取/写入操作的正常存取同时在同一存储库中发生。在一特定实施例中，为解决地址间的冲突，地址比较器比较用于正常存取的地址与用于刷新操作的地址。若所述两个地址之间匹配，则本发明取消在所述阵列处的刷新操作，并且允许正常存取继续进行。

主权项

1.一种同步动态存储器电路，其包含：多个存储器库，其各自具有多个存储器单元；一命令解码器，其响应于指示操作模式的命令输入信号；一地址解码器，其响应于指示用于正常存取的存储器单元位置的地址输入信号；一隐藏刷新检测器，其响应于一隐藏刷新命令，且被配置成响应于所述隐藏刷新命令而产生隐藏刷新信号；一刷新控制器，其响应于所述隐藏刷新信号，且被配置成起动可与正常存取操作同时进行的隐藏刷新操作；及一刷新地址产生器，其耦接至所述刷新控制器，并被配置成产生用于所述隐藏刷新操作的存储器地址，其中，所述隐藏刷新操作与所述正常存取操作响应于一周期性时钟信号而发生。