[发明专利]薄膜晶体管阵列

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列，包括基板以及配置于基板上的多个薄膜晶体管、多个像素电极、多条共用配线与多个辅助电极。基板具有多个像素区域，而薄膜晶体管、像素电极与辅助电极则是分别配置于各像素区域内。在各像素区域内，像素电极覆盖于共用配线上，并与薄膜晶体管电性连接。辅助电极则是位于像素电极与共用配线之间，且辅助电极与共用配线间的重叠区域面积为L×H，而重叠区域的边长和大于2L×2H。其中，L、H均为正实数。此薄膜晶体管阵列上各像素区域内的馈通电压彼此相等。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列，包含：一基板，具有多个像素区域；多个薄膜晶体管，分别配置于各该像素区域内；多个像素电极，分别配置于各该像素区域内而与薄膜晶体管电性连接；多条共用配线，配置于该基板上，其中在各该像素区域内，像素电极是覆盖于共用配线上；以及多个辅助电极，分别配置于各该像素区域内，并位于像素电极与共用配线之间，各该辅助电极与对应的该共用配线间具有一重叠区域，其中该重叠区域的面积为L×H，而该重叠区域的边长和大于2L×2H，且L、H均为正实数。