[发明专利]半导体器件

摘要

根据本发明的一种半导体器件，包括：一p沟道TFT；一n沟道TFT，其中至少有一部分LDD区与栅极叠加，在LDD区和栅极之间夹有第二栅绝缘膜；一存储晶体管，其包括：一源区、一漏区、一沟道区、第一栅绝缘膜、一浮置栅极、第三栅绝缘膜、和一控制栅极，其中，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT和所述存储晶体管都设置在同一绝缘体之上，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT都设置在一个CMOS电路中，并且，所述存储晶体管的所述漏区叠加在所述的浮置栅极。

主权项

1.一种显示装置，包括：衬底；设在所述衬底之上的电流控制p沟道薄膜晶体管；以及设在所述电流控制p沟道薄膜晶体管之上的电发光层；其中，所述电流控制p沟道薄膜晶体管的沟道区域设在含硅的半导体薄膜中，并且所述半导体薄膜具有{110}平面。