[发明专利]穿过晶片的通路以及用于与其耦合的表面金属化有效
| 申请号： | 200610100392.4 | 申请日： | 2006-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1885525A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | J·海克;Q·马;Q·特兰;T·－K·仇;S·阿尔特舒勒;B·威恩菲尔德 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60;H01L23/522;H01L23/48;H01L25/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造穿过晶片的通路的装置和方法。将第一掩模形成于第一半导体管芯的第一侧上以限定第一通路区域。蚀刻一深凹部穿过第一通路区域中的第一半导体管芯并在包含该深凹部的第一侧上形成覆盖金属层。从第一半导体管芯的第一侧的外表面上去除覆盖金属层，同时保留深凹部内的一部分覆盖金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 穿过 晶片 通路 以及 用于 与其 耦合 表面 金属化 | ||
【主权项】：
1.一种制造方法，包括：在第一半导体管芯的第一侧上形成第一掩模以限定第一通路区域；在所述第一通路区域中蚀刻穿过所述第一半导体管芯深凹部；在包含所述深凹部的所述第一侧上形成覆盖金属层；以及在保留所述深凹部内的一部分所述覆盖金属层的同时，从所述第一半导体管芯的所述第一侧的外表面上去除所述覆盖金属层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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