[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200610100165.1 | 申请日： | 1999-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1937250A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种可靠性得到改善的薄膜晶体管。栅极包括具有锥形部分的第一栅极和宽度比第一栅极窄的第二栅极。对半导体层经第一栅极掺入低浓度的磷。在半导体层中，在沟道形成区和n+型杂质区之间形成两种n－型杂质区。一些n－型杂质区与栅极交叠，而其它n－型杂质区不与栅极交叠。由于形成两种n－型杂质区，可降低截止电流，并可抑制性能的退化。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征是，具有位于衬底上的顶栅极型LDD结构，包括：上栅极；下栅极，至少其一侧在源极一侧和漏极一侧上，所述漏极从所述上栅极伸出，并且所述下栅极与所述上栅极紧密接触定位； 半导体部分具有：在所述上栅极和所述下栅极正下面的沟道区，所述下电极的伸出部分的正下面的LDD区域，及源区和不用所述上栅极和下电极覆盖的漏区；所述下栅极包括低阻金属材料；和，所述上栅极包括高密度金属材料或氢吸附金属，并且，具有在搀杂期间注入氢离子的高屏蔽能力。
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