[发明专利]发光半导体器件和含有该发光半导体器件的装置有效
| 申请号： | 200610099978.3 | 申请日： | 1997-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1983651A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | U·雷;K·赫恩;N·斯塔施;G·韦特;P·施洛特;R·施米特;J·施奈德 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘春元;王忠忠 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及发光半导体器件和含有该发光半导体器件的装置。为改良该发光半导体器件，根据本发明，其有一个半导体多层结构，适合于在半导体器件工作时发射第一波长段的电磁射线。发光变换元件将来自于第一波长段的射线变换成不同于该第一波长段的第二波长段的射线并将该射线发出，使得该半导体器件发射出包括所述第一波长段的可见电磁射线和所述第二波长段的可见电磁射线的混合色光。半导体主体发出的射线在波长λ≤520nm时具有相对强度最大值，由所述发光变换元件光谱选择地吸收的波长段位于该强度最大值之外。由此既能采用简单工艺方法进行大批量生产，又能在最大程度上保证器件的可再现性特征。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 半导体器件 含有 装置 | ||
【主权项】：
1.发光半导体器件，具有一个半导体主体(1)，其在所述半导体器件工作时发射电磁射线，具有至少一个第一和至少一个第二导电引线(2，3)，其与所述半导体主体(1)导电地连接，以及具有一个包含有至少一种发光材料的发光变换元件，其特征在于：所述半导体主体(1)具有一个半导体多层结构(7)，其适合于在所述半导体器件工作时发射第一波长段的电磁射线，以及所述的发光变换元件将来自于所述第一波长段的射线变换成不同于该第一波长段的第二波长段的射线并将读射线发出，使得该半导体器件发射出包括所述第一波长段的可见电磁射线和所述第二波长段的可见电磁射线的混合色光，其中由所述半导体主体发出的射线在波长λ≤520nm时具有相对强度最大值，并且由所述发光变换元件光谱选择地吸收的波长段位于该强度最大值之外。
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