[发明专利]单一ELOG生长的横向P－N结氮化物半导体激光器无效
| 申请号： | 200610099885.0 | 申请日： | 2006-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1937337A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | D·P·鲍尔;S·W·科尔齐尼 | 申请（专利权）人： | 阿瓦戈科技ECBUIP（新加坡）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/323;H01S5/183 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王庆海;张志醒 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 可以通过ELOG(外延横向过度生长)制造垂直量子阱氮化物激光器，通过在横向生长边缘的垂直a－面上方沉积和在单一ELOG－MOCVD(金属有机化学汽相沉积)生长步骤中形成横向结而生成的垂直量子阱。垂直量子阱可以用于GaN垂直腔表面发射激光器(VCSEL)和GaN边缘发射激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 单一 elog 生长 横向 氮化物 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造单一ELOG生长横向p-n结氮化物半导体激光器的方法，包括：在衬底上方沉淀和构图电介质层；以及在所述衬底上方采用单一生长步骤生长ELOG区域，所述ELOG区域包括位于n型和p型区域之间的InGaN/InGaN多量子阱区域，所述InGaN/InGaN多量子阱区域的第一部分被定向为基本上不平行于所述衬底。
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