[发明专利]金属－绝缘体－半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200610099720.3 | 申请日： | 1994-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1917154A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;竹村保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及采用低温工艺制造高可靠性的MIS半导体器件。公开了一种制造MIS半导体器件的方法，其中，在半导体基片或者半导体薄膜中有选择地形成掺杂区，于是采取预防措施，以便激光或者相当的高强度光能照射到掺杂区和其相邻的有源区之间的边界，并且从上面照射激光或者相当的高光强的光，而达到激活的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在绝缘表面上形成半导体岛；在所述半导体岛上形成栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上形成导电膜；在所述导电膜上制出图案，以形成栅电极；利用所述栅电极作为掩模将杂质离子引入所述半导体岛的各部分中，以在所述半导体岛中形成其间插有沟道形成区的各杂质区，其中所述栅电极具有倾斜的侧表面；在引入所述杂质后蚀刻所述栅电极的侧表面；以及在蚀刻所述侧表面之后，在用栅电极覆盖所述沟道区时，用光照射所述各杂质区以激活该杂质区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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