[发明专利]硅片上制作纳米孔的方法无效
| 申请号： | 200610097417.X | 申请日： | 2006-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101041415A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 肖忠党;王海涛;田田 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 利用交变针尖电场直接在硅片上制备纳米孔的方法是一种简单易操作的方法。该方法首先将硅单晶片或者表面通过化学键合或物理吸附修饰疏水或者亲水单层膜的硅片，固定在样品台上，然后启动程序控制针尖与样品之间的距离与相对运动，在所述样品和针尖之间施加交流电压脉冲，即可在所述样品上形成纳米孔。本发明的方法不仅所需设备简单、操作便利，而且易于对纳米孔的孔径及孔深进行精确控制，可用于信息存储领域以及制备纳电子器件等。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 制作 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在硅片上制备纳米孔的方法，其特征在于制备的方法为：将硅片固定在样品台上，控制硅片与针尖的距离以及针尖在硅片表面的位置，在所述硅片样品和针尖之间施加脉冲电压，在所述硅片样品上形成纳米孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610097417.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
