[发明专利]有源矩阵式液晶电光器件以及具备该器件的摄象机无效
| 申请号： | 200610093447.3 | 申请日： | 1992-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1908738A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;间濑晃;广木正明;竹村保彦;张宏勇;鱼地秀贵;根本英树 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13;H01L21/00;H01L29/786;H04N5/225 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 液晶 电光 器件 以及 具备 摄象机 | ||
【主权项】：
1.一种有源矩阵式液晶电光器件，其特征在于，包括：第一基片；在第一基片上形成的至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：在第一基片上的绝缘表面上形成的半导体层；在所述半导体层中形成的第一对杂质区，其中，所述第一对杂质区掺杂有具备在第一浓度下的一种导电类型的杂质；在所述半导体层中形成的、在所述一对杂质区之间的沟道区；在所述第一对杂质区和所述沟道区之间形成的第二对杂质区，其中，所述第二对杂质区掺杂有具备在低于所述第一浓度的第二浓度下的所述导电类型的杂质；靠近所述沟道区的栅极，栅绝缘膜在它们之间插入；在所述薄膜晶体管上形成的层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上形成的有机树脂膜，所述有机树脂膜具有一平整的上表面，在所述有机树脂膜上形成的象素电极；相对于所述第一基片的第二基片；以及在所述第一和第二基片之间插入的液晶。
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