[发明专利]场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 200610092696.0 | 申请日： | 2006-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1905210A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 穆吉塔巴·朱达基 | 申请（专利权）人： | 爱特梅尔（德国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 德国海尔*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 场效应晶体管，具有：栅极氧化物，在该栅极氧化物上面形成的多晶硅层，和至少一个多晶硅间隔层，其中，该栅极氧化物在该多晶硅层下面呈现第一区内的第一厚度和在至少一个间隔层下面呈现第二区内的第二厚度，其中该第二区内的栅极氧化物的第二厚度比第一区内的栅极氧化物的第一厚度减小。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.场效应晶体管，具有：-栅极氧化物(60，60’，60”)，-在该栅极氧化物(60)上面形成的多晶硅层(40)，和-至少一个多晶硅间隔层(51，53)，其中，该栅极氧化物(60)在该多晶硅层(40)下面呈现第一区(62)内的第一厚度和在该至少一个间隔层(51，53)下面呈现第二区(61，63)内的第二厚度，和其中该第二区(61，63)内的栅极氧化物(60’，60”)的第二厚度比第一区(62)内的栅极氧化物(60)的第一厚度减小。
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