[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法和评估方法有效
| 申请号： | 200610084766.8 | 申请日： | 2006-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1988123A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 桥见一生;佐藤豪一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/336;H01L29/78;H01L23/52 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示一种在不损伤硅衬底的情况下稳定且准确地评估半导体器件栅极下方的杂质分布的方法。依照该评估方法，通过使由热解作用产生的热解氢与半导体器件接触，而在不去除栅极绝缘膜的情况下，去除由含硅材料制成的栅极，该半导体器件包括栅极、源极以及漏极，其中，该栅极经由栅极绝缘膜设置在半导体衬底上，该源极和该漏极形成在该栅极相对侧的半导体衬底上。此外，通过观测留在半导体衬底上的栅极绝缘膜的形状来评估栅极的加工形状，通过湿式工艺去除留在半导体衬底上的栅极绝缘膜，以及测量和评估栅极下方的杂质分布。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 评估 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的评估方法，该半导体器件包括栅极、源极以及漏极，其中，该栅极由含硅材料制成且经由栅极绝缘膜形成在半导体衬底上，该源极和该漏极形成在该栅极相对侧的半导体衬底上，该评估方法包括如下步骤：通过将热解作用产生的热解氢应用至该半导体器件，在不去除栅极绝缘膜的情况下去除栅极；以及通过观测留在该半导体衬底上的栅极绝缘膜和侧壁绝缘膜之一的形状，评估栅极的加工形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
