[发明专利]自动对准凹入式栅极金氧半导体晶体管元件的制作方法

摘要

本发明提供一种凹入式栅极MOS晶体管元件的制作方法。首先提供半导体基底，其具有存储器阵列区，其中该半导体基底具有主表面，且在该主表面上形成有垫氧化层以及垫氮化硅层。本发明的特征在于利用形成在沟槽上盖层的侧壁上的对称侧壁子，进行栅极沟槽以及自我对准凹入式栅极晶体管的制作。

主权项

1.一种自动对准凹入式栅极MOS晶体管元件的制作方法，包含有：提供半导体基底，其中该半导体基底具有主表面；于该半导体基底中形成多个沟槽电容，其中各该多个沟槽电容上皆有沟槽上盖层，凸出该主表面；于该半导体基底上沉积氮化硅层，使其覆盖该沟槽上盖层的上表面以及侧壁；于该氮化硅层上沉积多晶硅层；各向异性蚀刻该多晶硅层，以于该沟槽上盖层的侧壁上形成多晶硅侧壁子；氧化该多晶硅侧壁子，形成硅氧侧壁子；利用该硅氧侧壁子作为蚀刻硬掩模，蚀刻该氮化硅层以及该半导体基底，形成栅极沟槽；于该栅极沟槽的侧壁以及底部上形成栅极介电层；以及于该栅极介电层上形成栅极材料层，并使其填满该栅极沟槽。