[发明专利]用于在半导体器件中形成接触孔的方法无效
| 申请号： | 200610083376.9 | 申请日： | 2006-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1885503A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 李敏硕;李圣权 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种用于在半导体器件中形成接触孔的方法。用于在半导体器件中形成接触孔的方法包括：在底结构之上形成绝缘层；在绝缘层之上形成硬掩模图案；使用硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻绝缘层的一部分以形成开口；在硬掩模图案和通过蚀刻而图案化的绝缘层的侧壁之上形成间隔物；蚀刻绝缘层的剩余部分以形成暴露底结构一部分的接触孔；以及去除间隔物和硬掩模图案。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 形成 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在半导体器件中形成接触孔的方法，包括：在底结构之上形成绝缘层；在所述绝缘层之上形成硬掩模图案；使用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述绝缘层的一部分以形成开口；在所述硬掩模图案和通过蚀刻而图案化的所述绝缘层的侧壁之上形成间隔物；蚀刻所述绝缘层的剩余部分以形成暴露所述底结构一部分的接触孔；以及去除所述间隔物和所述硬掩模图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
