[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

按照这样一种方式形成一个工作半导体层，使得该无定形硅层形成为具有一个宽区域和一个窄区域，并且该窄区域相对于宽区域位置不对称地连接到该宽区域，并且在作为热保持层的多晶硅层隔着氧化硅层从侧面包住该窄区域的状态下，通过把连续波激光束从宽区域向窄区域扫描，而使该无定形硅层结晶。

主权项

1.一种制造薄膜型半导体器件的方法，该半导体器件具有基片和构图形成在该基片上的工作半导体层，其中包括如下步骤：在该基片上形成要作为工作半导体层的一个半导体层；处理该要整形的半导体层，从而它具有宽区域和比所述宽区域窄的窄区域，并且窄区域连接到宽区域，使得该窄区域被设置为相对于宽区域不对称；在处理该半导体层之后，形成窄区域的热保持层，以隔着一个隔离层有选择地覆盖该窄区域的侧面部分；以及在形成热保持层的状态下，通过把能量束沿着窄区域的纵向方向从宽区域向窄区域照射到半导体层上而使该半导体层结晶。