[发明专利]流体喷射装置及其制造方法无效
申请号: | 200610080118.5 | 申请日: | 2006-04-28 |
公开(公告)号: | CN101062494A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 洪益智;陈苇霖;庄文宾 | 申请(专利权)人: | 明基电通股份有限公司 |
主分类号: | B05B1/24 | 分类号: | B05B1/24;B41J2/16;B41J2/14;C25D3/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种流体喷射装置及其制造方法,此流体喷射装置包括:基底,具有第一表面,且上述基底的中具有流体通道;导电高分子层,形成于上述基底的上述第一表面上;金属结构层,形成于上述导电高分子层上,上述金属结构层与上述基底的上述第一表面间形成流体腔,且上述导电高分子层与该金属结构层的中具有喷孔,与上述流体腔连通。上述的流体喷射装置可还包括抗化性金属薄膜,形成于上述金属结构层上,且上述抗化性金属薄膜从上述金属结构层上表面延伸至上述喷孔内。 | ||
搜索关键词: | 流体 喷射 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种流体喷射装置的制造方法,包括下列步骤:提供基底,且所述基底具有第一表面与第二表面;在所述基底的所述第一表面上形成图案化牺牲层;在所述基底的所述第一表面上形成导电高分子层,且所述导电高分子层覆盖所述图案化牺牲层;在所述导电高分子层上形成图案化光致抗蚀剂层;在暴露的所述导电高分子层上形成金属结构层,且所述金属结构层与所述图案化光致抗蚀剂层相邻;移除所述图案化光致抗蚀剂层与所述图案化光致抗蚀剂层下方的导电高分子层,以形成喷孔。
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