[发明专利]流体喷射装置及其制造方法

权利要求书

1.一种流体喷射装置的制造方法，包括下列步骤：

提供基底，且所述基底具有第一表面与第二表面；

在所述基底的所述第一表面上形成图案化牺牲层；

在所述基底的所述第一表面上形成导电高分子层，且所述导电高分子层覆盖所述图案化牺牲层；

在所述导电高分子层上形成图案化光致抗蚀剂层；

在暴露的所述导电高分子层上形成金属结构层，且所述金属结构层与所述图案化光致抗蚀剂层相邻；

移除所述图案化光致抗蚀剂层与所述图案化光致抗蚀剂层下方的导电高分子层，以形成喷孔。

2.如权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中还包括在所述基底的所述第一表面上形成加热元件及驱动电路。

3.如权利要求2所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述图案化牺牲层覆盖所述加热元件。

4.如权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述图案化牺牲层包括多晶硅、磷硅玻璃或高分子聚合物。

5.如权利要求4所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述高分子聚合物为光致抗蚀剂。

6.如权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述导电高分子层为电镀起始层。

7.如权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述导电高分子层包括环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙炔、聚噻吩、聚二乙炔、聚对苯撑乙烯、聚吡咯、聚双噻吩、聚异噻吩、聚噻嗯基乙烯、聚次苯基硫化物、聚苯胺、聚(3，4-二氧乙基噻吩)/聚(对苯乙烯磺酸)或氟代烷基硅烷。

8.如权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述导电高分子层为SU-8。

9.如权利要求5所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述导电高分子层是感光性材料。

10.如权利要求9所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述感光性材料为通过添加光酸产生剂形成。

11.如权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述导电高分子层为具有导电粒子的光致抗蚀剂。

12.如权利要求11所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述导电粒子包括银、铜、镍或金。

13.如权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述导电高分子层的电阻率范围介于10^-2～10^-5Ω·cm。

14.如权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述导电高分子利用旋转涂布、浇铸或光刻/蚀刻方式形成。

15.如权利要求2所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述导电高分子层覆盖所述驱动电路。

16.如权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述图案化光致抗蚀剂层与所述图案化光致抗蚀剂层下方的导电高分子利用干式蚀刻或光刻/蚀刻方式去除。

17.如权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述金属结构层包括镍、金或镍钴合金或其组合。

18.如权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述金属结构层的厚度相近于图案化光致抗蚀剂层的厚度。

19.如权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述金属结构层由金属微电铸或电镀工艺形成。

20.如权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，还包括由所述第二表面蚀刻所述基底，在所述基底中形成流体通道，以露出所述图案化牺牲层。

21.如权利要求20所述的流体喷射装置的制造方法，还包括移除所述图案化牺牲层，以形成流体腔，且所述流体腔与所述喷孔及所述流体通道连通。

22.如权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，还包括在所述金属结构层上形成抗化性金属薄膜。

23.如权利要求22所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述抗化性金属薄膜为金或其合金。

24.如权利要求22所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述抗化性金属薄膜利用无电镀法形成。