[发明专利]集成电路参数调校方法有效

专利信息
申请号: 200610077186.6 申请日: 2006-04-27
公开(公告)号: CN101064276A 公开(公告)日: 2007-10-31
发明(设计)人: 许续贺 申请(专利权)人: 盛群半导体股份有限公司
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L21/66;G01R31/28
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种集成电路参数调校方法,其利用外部装置去调校集成电路的内部电路的控制模拟参数,首先利用该外部装置的检测模式去检测该控制模拟参数是否超出预设值范围,当超出预设值范围时,则利用调校模式取得调校值,并且将该调校值重新输入该集成电路的内部电路,然后再由该外部电路作重新检测、调校,此动作会反复进行直到该控制模拟参数落入该预设值范围为止。当该控制模拟参数落入该预设值范围后,则将其所对应的调校值写入该集成电路的非易失性存储器。由此可以看出,本发明能提高集成电路的参数精确性及降低集成电路的制造成本。
搜索关键词: 集成电路 参数 调校 方法
【主权项】:
1、一种集成电路参数调校方法,包括下列步骤:步骤1:输入初始值至该集成电路内部的锁存寄存器;步骤2:利用该集成电路的内部模拟电路读取最后输入该锁存寄存器的数值,并利用该数值产生输出值;步骤3:利用外部装置的检测模式,检测该输出值;步骤4:判断该输出值是否超出预设值范围,若超出该预设值范围则进行步骤5,反之,则进行步骤6;步骤5:利用该外部装置的调校模式取得调校值,并将该调校值输入该锁存寄存器中,再返回到步骤2;以及步骤6:将最后输入该锁存暂存的数值写入该集成电路的非易失性存储器。
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