[发明专利]涂膜形成方法无效
申请号: | 200610076728.8 | 申请日: | 2006-04-18 |
公开(公告)号: | CN1854337A | 公开(公告)日: | 2006-11-01 |
发明(设计)人: | 中村彰彦 | 申请(专利权)人: | 东京应化工业株式会社 |
主分类号: | C23C18/12 | 分类号: | C23C18/12;H01L21/205;H01L21/316 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 苗堃;刘继富 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种理想的涂膜形成方法,其特征在于:用含有烷氧基硅烷化合物的涂布液在基板上形成SOG膜的时候,正确进行温度控制,从而抑制涂膜急剧收缩,并通过防止涂布液中的玻璃质形成材料的消失,来防止SOG膜产生裂纹,并且不使形成回路的金属材料熔融、发生形变。所述涂膜形成方法设定至少3个阶段的被处理物表面温度范围,从低温开始使温度阶段性上升,干燥涂布有SOG膜形成用涂布液的被处理物,接着使被处理物表面温度升至250~500℃的范围,保持±3℃的范围进行上述被处理物的煅烧处理,使SOG膜形成。 | ||
搜索关键词: | 形成 方法 | ||
【主权项】:
1、涂膜形成方法,其是在被处理物上涂布SOG膜形成用涂布液,经过加热处理工序在被处理物上形成SOG膜的方法,其特征在于:将该加热处理工序分为干燥工序和后续的煅烧工序,在所述干燥工序中,设定至少3个阶段的被处理物表面温度范围,通过从低温开始使温度阶段性上升的方式加热所述被处理物,在接着的煅烧工序中,使被处理物表面温度进一步上升,在250~500℃的范围、并且保持±3℃的范围进行所述被处理物的加热处理,形成SOG膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
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