[发明专利]涂膜形成方法无效

专利信息
申请号: 200610076728.8 申请日: 2006-04-18
公开(公告)号: CN1854337A 公开(公告)日: 2006-11-01
发明(设计)人: 中村彰彦 申请(专利权)人: 东京应化工业株式会社
主分类号: C23C18/12 分类号: C23C18/12;H01L21/205;H01L21/316
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 苗堃;刘继富
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于提供一种理想的涂膜形成方法,其特征在于:用含有烷氧基硅烷化合物的涂布液在基板上形成SOG膜的时候,正确进行温度控制,从而抑制涂膜急剧收缩,并通过防止涂布液中的玻璃质形成材料的消失,来防止SOG膜产生裂纹,并且不使形成回路的金属材料熔融、发生形变。所述涂膜形成方法设定至少3个阶段的被处理物表面温度范围,从低温开始使温度阶段性上升,干燥涂布有SOG膜形成用涂布液的被处理物,接着使被处理物表面温度升至250~500℃的范围,保持±3℃的范围进行上述被处理物的煅烧处理,使SOG膜形成。
搜索关键词: 形成 方法
【主权项】:
1、涂膜形成方法,其是在被处理物上涂布SOG膜形成用涂布液,经过加热处理工序在被处理物上形成SOG膜的方法,其特征在于:将该加热处理工序分为干燥工序和后续的煅烧工序,在所述干燥工序中,设定至少3个阶段的被处理物表面温度范围,通过从低温开始使温度阶段性上升的方式加热所述被处理物,在接着的煅烧工序中,使被处理物表面温度进一步上升,在250~500℃的范围、并且保持±3℃的范围进行所述被处理物的加热处理,形成SOG膜。
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