[发明专利]非易失性存储单元、存储单元矩阵和存储装置有效
| 申请号： | 200610074310.3 | 申请日： | 2006-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1967718A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 柯锦源;蔡永胜;廖珮君 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/41 | 分类号： | G11C11/41;G11C11/419;G11C16/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储单元，根据软击穿机制存储数据，存储器包括电阻耦接金属氧化物半导体的栅极或源/漏极。当软击穿发生在金属氧化物半导体装置上时，流经栅极介电层的漏电流增加，并通过检测漏电流的改变以得知存储器的状态。本发明还公开了一种存储单元矩阵和一种存储装置。根据本发明的存储器的半导体工艺和目前半导体工艺兼容，并且本发明的存储器适合长时间存储数据。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 单元 矩阵 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储单元，包括：金属氧化物半导体架构；电阻，串联耦接上述金属氧化物半导体架构；以及写入接脚，其第一端耦接上述电阻，上述写入接脚适合耦接写入电压，以诱导软击穿于上述金属氧化物半导体架构中，其中上述电阻能使电流减少，上述电流是由上述写入电压所产生的，并流经上述金属氧化物半导体架构。
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